1Gb 모바일 D램 중 가장 작고 속도 빨라 수요 최적
소형 고용량 메모리 Z램 기술 라이센스 받기로

하이닉스반도체(대표 김종갑)는 세계 최고속, 최소형의 1Gb(기가비트) 모바일 D램 개발에 성공했다고 밝혔다.

모바일 D램은 휴대 전화 등에 주로 사용되며, 최근 휴대용 전자기기가 급속히 소형화, 대용량화, 고속화되고 있어 이와 같은 경향에 맞춘 모바일 D램 제품에 대한 수요가 높아지고 있다. 하이닉스반도체가 이번에 개발한 제품은 데이터 저장 용량이 1Gb로 대용량일 뿐 아니라, 현재까지 개발된 1Gb 모바일 D램 제품 중 크기가 가장 작고 데이터 처리 속도가 가장 빨라 시장의 요구에 최적화된 제품이다.

이번에 개발된 모바일 D램은 66나노 공정 기술을 이용하였으며, 60나노급 공정으로는 세계 최초로 개발되어 상용화되는 제품이다. 초미세 공정을 사용함에 따라 크기가 획기적으로 줄어들어 다양한 초소형 전자 기기 및 메모리 제품에 적용이 가능하다.

이 제품은 최대 200MHz(메가헤르츠)로 동작하고 32개의 정보출입구(I/O)를 통하여 최대 초당 1.6GB(기가바이트)가량의 데이터를 처리할 수 있는 최고속 제품이며, 전력 소비를 최소화할 수 있도록 설계되어 많은 양의 데이터를 보다 빠르게 처리하면서도 배터리 소모는 최소한으로 유지할 수 있다.

또한 이 제품은 그간 고객들로부터 좋은 평가를 받았던 하이닉스반도체의 ‘원 칩 솔루션’ 기능을 갖추고 있어, 탑재되는 기기의 사양에 맞추어 데이터 처리 속도 및 방식을 하나의 칩에서 변경해 사용할 수 있다.

이 제품의 양산은 내년 1분기에 시작될 예정이다. 하이닉스반도체는 다양한 소형 메모리 제품에 적용이 가능한 제품의 특성을 살려 낸드 플래시와 D램을 적층하여 만든 ‘낸드 멀티칩 패키지(NAND MCP)’와 패키지 위에 패키지를 얹는 ‘패키지 온 패키지(PoP)’ 등 다양한 형태로 제품을 생산하고, 노어 멀티칩 패키지(NOR MCP) 및 시스템 인 패키지(SiP) 등의 업체에는 웨이퍼 상태로 제품을 공급할 수 있도록 ‘KGD(Known Good Die)’ 형태로도 제작할 계획이다.

한편 하이닉스반도체는 스위스에 위치한 메모리 기술 개발 업체 이노베이티브 실리콘社(Innovative Silicon ISI S.A)와 신개념 메모리 반도체인 ‘Z램’에 대한 라이센스 계약을 체결했다고 지난 14일 밝혔다.
보통 D램의 기억 소자는 트랜지스터와 캐패시터로 구성되는데 비해 Z램은 캐패시터 없이 트랜지스터로만 구성되어 있어 제품 크기는 물론 생산 비용까지 획기적으로 줄일 수 있을 것으로 기대되는 차세대 메모리 반도체이다.

이번 계약에 따라 하이닉스반도체는 D램 업체로는 최초로 이노베이티브 실리콘社로부터 Z램에 대한 라이센스를 취득하여 제품 개발을 진행하게 된다. 두 회사는 또한 양사의 연구 인력을 공동 투입해 제품 개발에 협력하기로 했다.
D램 내부의 각 기억소자는 전하를 담는 역할을 하는 캐패시터와 캐패시터를 여닫는 스위치 역할을 하는 트랜지스터로 이루어져 있으며, 캐패시터가 전하를 담고 있으면 1, 전하를 담고 있지 않으면 0으로 처리되는 방식으로 데이터를 저장한다.

Z램은 실리콘 온 인슐레이터 구조를 이용하여 제작된 트랜지스터가 동작할 때 트랜지스터 내부에 불필요한 양전하가 쌓이는 단점을 역이용하여 이를 0과 1상태를 표현하는 것으로 이용한다는 개념을 활용, 별도의 캐패시터 없이도 데이터의 저장이 가능한 기술이다.
이에 따라 기억 소자가 차지하는 크기가 크게 줄고 구조도 간단해져 제품 미세화나 고용량화에도 유리해질 뿐만 아니라 제작 비용 또한 줄어드는 장점을 가진다.
하이닉스반도체는 2017년 세계 1위의 기업가치와 기술력을 보유한 세계 최

고의 반도체 전문회사가 되는 것을 목표로 특화된 기술 경쟁력을 확보하기 위해 R&D 분야에 역량을 집중하고 있다. 이에 따라 이번 계약에 이어 앞으로도 반도체 산업계 내에서 제휴 및 협력을 지속적으로 확대하여 점차 다양해지는 소비자들의 요구에 효과적으로 대처하고 변화하는 시장 상황에 적극 대응할 계획이다.